Samsung BV-NAND texnologiyasını təqdim etdi, yaddaş sıxlığı 58% artdı

Samsung Electronics, ABŞ-ın Kaliforniya ştatının Santa Clara şəhərindəki Gələcək Yaddaş və Yaddaş Konfransında V10 Bonding V-NAND, yəni BV-NAND prototip məhsulunu təqdim etdi. Bu çip 400-dən çox qat quruluşuna malikdir və tamamilə yeni çip birləşdirmə arxitekturasını istifadə edir. Yaddaş sıxlığı əvvəlki nəsil V9 NAND ilə müqayisədə təxminən 58% artmışdır, eyni zamanda oxuma, yazma və giriş/çıxış performansını artıraraq süni intellekt sistemlərinin yüksək tutumlu, yüksək enerji səmərəli yaddaş tələblərini qarşılayır. Samsung həmçinin, şaquli yığılmış yaddaş hüceyrələrini istifadə edən, məlumat ötürmə məsafəsini qısaldan, bant genişliyini və enerji səmərəliliyini artıran sənayenin ilk zHBM və zNAND-O arxitektura konsept modellərini nümayiş etdirdi. Samsung, çip birləşdirmə texnologiyasının ənənəvi HBM5 yaddaşından 10 dəfə çox yaddaş sıxlığına, enerji səmərəliliyinin 3 dəfə artmasına və istilik müqavimətinin yarıdan çox azalmasına ümid etdiyini bildirdi.

Bu məzmun yalnız ümumi məlumat məqsədilə təqdim olunur və maliyyə, investisiya, hüquqi və ya vergi məsləhəti hesab edilməməlidir. Burada qeyd olunan hər hansı tədbir, mükafat, onlayn kampaniya və ya əlaqəli məlumat hər hansı kriptoaktivin alınması, satılması, treydinqi və ya digər əməliyyatların aparılması üçün tövsiyə, təşviq və ya dəvət kimi qiymətləndirilməməlidir. Kriptoaktivlər yüksək dəyişkənliyə malikdir və maliyyə itkisinə səbəb ola bilər. WEEX-in xidmətləri, məhsulları və əlaqəli tədbirlərinin əlçatanlığı regiondan asılı olaraq dəyişə bilər. İştirakınızın yerli qanunvericilik və tənzimləyici tələblərə uyğun olmasını təmin etmək sizin məsuliyyətinizdir.