Samsung développe un HBM4E à 8 couches pour répondre aux exigences de NVIDIA

Samsung Electronics développe un produit HBM4E à 8 couches pour répondre aux exigences de NVIDIA, destiné à être utilisé dans la mémoire à large bande personnalisée NVHBM. Cette solution réduit le nombre de couches empilées par rapport aux produits de 12 et 16 couches initialement prévus, avec un objectif de vitesse de 17 à 18 Gbps, soit une augmentation d'environ 20 % par rapport aux échantillons antérieurs de 14,4 Gbps. L'adoption d'une conception à 8 couches permet de réduire la difficulté de l'amincissement des wafers, de l'empilage précis et de l'emballage en backend, allégeant ainsi la pression sur le rendement et améliorant la capacité d'approvisionnement. Le NVHBM devrait être appliqué à partir du GPU Rubin Ultra AI qui sera lancé l'année prochaine, avec une échelle d'interconnexion GPU passant de 72 unités existantes à un maximum de 576 unités, permettant à davantage de GPU à haute vitesse de compenser la baisse de la capacité de stockage d'un seul GPU. Samsung possède des capacités de conception et de production pour les DRAM, les puces logiques et les bare chips, offrant un service complet pour le HBM personnalisé. Les experts de l'industrie estiment que Samsung a démontré des vitesses de transmission élevées avec le HBM4, et alors que NVIDIA déplace son attention vers des transmissions à haute vitesse, ses capacités connexes pourraient recevoir plus d'attention.

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