Samsung Electronics представила концепцию 400-слойного BV-NAND и zHBM

Samsung Electronics представила концепцию 400-слойного BV-NAND и zHBM, которая нацелена на уменьшение расстояния перемещения данных и облегчение узких мест в памяти и хранилище AI-систем. С 5 по 7 октября на конференции Future of Memory and Storage 2026 в Санта-Кларе, штат Калифорния, компания представила образец V10 Bonding V-NAND. BV-NAND спроектирован с целью увеличения плотности хранения примерно на 58% и улучшения производительности с помощью метода связывания пластин. Связывание пластин — это способ объединения пластины с размещенными на ней ячейками памяти и пластины с окружающей схемой, который сосредоточен на одновременном обеспечении высокой емкости и энергоэффективности, требуемых для AI-систем. Samsung также представила концепции zHBM и zNAND-O, где zHBM представляет собой структуру, в которой память вертикально укладывается на ускоритель, уменьшая расстояние передачи данных. Согласно опубликованному описанию, zHBM нацелена на достижение плотности хранения более чем в 10 раз выше, чем у существующего HBM5, и уровня энергоэффективности в 3 раза. Эта презентация демонстрирует, что конкуренция в области HBM расширяется до упаковки, производства и интеграции памяти. На мероприятии основное внимание будет уделено технологиям памяти и хранения для AI-систем и дата-центров.

Этот контент предоставляется исключительно в общих информационных целях и не является финансовым, инвестиционным, юридическим или налоговым советом. Любые мероприятия, вознаграждения, онлайн-акции или связанная с ними информация, упомянутые в настоящем документе, не должны рассматриваться как рекомендация, приглашение к покупке, продаже, торговле или иной сделке с какими-либо криптоактивами. Криптоактивы очень волатильны и могут привести к убыткам. Доступность услуг, продуктов WEEX и связанных с ними событий может варьироваться в зависимости от региона. Вы несете ответственность за обеспечение того, чтобы ваше участие соответствовало применимым местным законам и нормативным актам.