Changxin Memory plant Überprüfung und Verdopplung der Produktionskapazität für die zweite Fabrik in Peking

Changxin Memory Technologies (CXMT) prüft den Bau einer zweiten Halbleiterfabrik in Peking und Möglichkeiten zur zusätzlichen Kapitalbeschaffung. Dieser Plan zielt darauf ab, die Produktionskapazität bis Ende 2027 mehr als zu verdoppeln. Changxin Memory diskutiert derzeit über Finanzierungs- und Kapazitätserweiterungsstrategien, und eine offizielle Bekanntgabe des Baubeginns steht noch aus. Changxin Memory, ein 2016 gegründeter DRAM-Hersteller, entwirft, produziert und verkauft DRAM, der in mobilen Geräten, PCs, Tablets und Servern verwendet wird. Laut Counterpoint Research hatte Changxin Memory im ersten Quartal 2026 einen Marktanteil von 8 % im globalen DRAM-Markt und belegte im vierten Quartal 2025 mit 7,67 % den vierten Platz. Am 27. Juli wurde Changxin Memory an der Shanghai Science and Technology Innovation Board gelistet, und 7,5 Milliarden Yuan der Emissionserlöse sollen zur Aufrüstung der Produktionslinie für Speicherwafer verwendet werden. Allerdings könnten bei der Kapazitätserweiterung Einschränkungen durch Sanktionen und den Zugang zu fortschrittlichen Geräten bestehen, was Bedenken hinsichtlich der Aufnahme in die 1260H-Liste des US-Verteidigungsministeriums aufwirft. Die Branche beobachtet, ob Changxin Memory in der Lage sein wird, die Emissionserlöse mit der Kapazitätserweiterung zu verknüpfen.

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