Samsung entwickelt 8-lagiges HBM4E zur Erfüllung von Nvidias Anforderungen

Samsung Electronics entwickelt ein 8-lagiges HBM4E-Produkt, um die Anforderungen von Nvidia zu erfüllen, das für maßgeschneidereten Hochbandbreitenspeicher NVHBM vorgesehen ist. Diese Lösung reduziert die Anzahl der Stapellagen im Vergleich zu den ursprünglich geplanten 12- und 16-lagigen Produkten. Nvidias Zielgeschwindigkeit liegt bei 17 bis 18 Gbps, was eine Steigerung von etwa 20 % im Vergleich zu früheren Mustern mit 14,4 Gbps darstellt. Das 8-lagige Design ermöglicht eine Verringerung der Schwierigkeiten bei der Wafer-Dünnung, präzisen Stapelung und Backend-Verpackung, was den Druck auf die Ausbeute verringert und die Lieferfähigkeit erhöht. NVHBM wird voraussichtlich ab dem Rubin Ultra AI GPU, das nächstes Jahr auf den Markt kommt, eingesetzt. Die GPU-Interconnect-Größe des Rubin Ultra wird von derzeit 72 Chips auf bis zu 576 Chips erweitert, um die abnehmende Speicherkapazität einzelner GPUs durch mehr Hochgeschwindigkeits-GPUs auszugleichen. Samsung verfügt über Design- und Produktionskapazitäten für DRAM, Logikchips und grundlegende Bare-Chips und kann maßgeschneiderte HBM-Lösungen als One-Stop-Service anbieten. Branchenexperten sind der Meinung, dass Samsung bei HBM4 hohe Übertragungsgeschwindigkeiten demonstriert hat und mit Nvidias Fokus auf Hochgeschwindigkeitstransfer möglicherweise mehr Aufmerksamkeit auf seine entsprechenden Fähigkeiten gelenkt wird.

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