SK Hynix et SanDisk dévoilent la première norme de flash à haute bande passante de 512 Go

SK Hynix et SanDisk ont présenté la première norme de flash à haute bande passante (HBF) d'une capacité maximale de 512 Go. Cette annonce a été faite lors de l'événement Future of Memory and Storage 2026 (FMS) qui se tient du 5 au 7 octobre en Californie, aux États-Unis. Le HBF est une couche de mémoire basée sur la NAND qui se situe entre la mémoire à haute bande passante (HBM) et les SSD, combinant la structure de transfert de données rapide de la HBM avec l'évolutivité de capacité de la NAND. La première norme définit une capacité maximale de 512 Go en empilant des puces NAND en 8 couches et 16 couches, avec une bande passante allant de 0,4 To/s à 3,0 To/s. Le UCIe a été adopté comme méthode de connexion entre le HBF et le processeur, et cette norme comprend des interfaces de connexion, des caractéristiques électriques, la fiabilité du processus d'empilement des puces HBF et des directives d'utilisation logicielle. Google et Tenstorrent ont également participé aux travaux de normalisation, et le HBF sera appliqué dans les systèmes d'inférence AI et la conception d'accélérateurs. SK Hynix a présenté des wafers NAND 4D de 375 couches de 10e génération, affirmant que les performances par rapport à la consommation d'énergie ont été améliorées de 2,5 fois. L'adoption de produits commerciaux HBF n'a pas encore eu lieu, et son rôle semble dépendre des choix de conception des opérateurs de centres de données à l'avenir.

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