Samsung Electronics prevede che l'HBM rappresenterà quasi il 30% della capacità di produzione di wafer DRAM nel prossimo anno

Il vicepresidente esecutivo di Samsung Electronics, Kim Taewoo, prevede che l'HBM occuperà quasi il 30% della capacità totale di produzione di wafer dei produttori di DRAM il prossimo anno, rispetto all'attuale 20%. Ha sottolineato che l'HBM e il DRAM tradizionale competono per la stessa capacità di wafer, e l'aumento della produzione di HBM potrebbe comprimere l'offerta di DRAM tradizionale. TrendForce prevede che entro la fine del 2027, l'input di wafer HBM dei tre principali fornitori globali rappresenterà il 30% dell'input totale di wafer DRAM, ma in termini di capacità di memoria contribuirà solo per circa il 13% dell'offerta totale di DRAM. Samsung ha iniziato la produzione di massa dell'HBM4 a febbraio di quest'anno e a maggio ha fornito campioni di HBM4E a 12 strati ai clienti, tra cui NVIDIA. Si prevede che il volume medio mensile di wafer HBM di Samsung aumenterà da circa 180.000 pezzi quest'anno a circa 250.000 pezzi il prossimo anno. TrendForce ha dichiarato lo stesso giorno che la domanda di server AI continua e che l'HBM e il DRAM generico condivideranno una capacità di processo avanzata limitata. Nel 2027, l'offerta di memoria rimarrà tesa e le previsioni sui prezzi dell'HBM per il 2027 sono state riviste al rialzo, con un aumento previsto del prezzo medio misto del 121% rispetto all'anno precedente. A causa della limitata offerta e dell'aumento dei costi di sistema, si prevede che l'HBM a 8 strati diventi una delle soluzioni prioritarie per molte aziende nel 2027, con un prezzo per Gb superiore di circa il 10% - 20% rispetto ai prodotti a 12 strati.

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