Китайская полупроводниковая промышленность продвигается за счет сотрудничества правительства, банков и предприятий
Китайская полупроводниковая промышленность формируется за счет сотрудничества центрального правительства, местных властей, государственных финансовых учреждений и предприятий, создавая командную систему для привлечения финансирования, строительства заводов и обеспечения инфраструктуры. Первый этап Национального инвестиционного фонда по интегральным схемам составил 138,7 миллиарда юаней, второй этап — 204 миллиарда юаней, третий этап — 344 миллиарда юаней, в общей сложности 686,7 миллиарда юаней, средства были вложены в такие компании, как SMIC, Hua Hong Semiconductor и Yangtze Memory Technologies. Компания Changxin Storage, основанная 10 лет назад, заняла четвертое место на мировом рынке DRAM, за последние три года понесла чистые убытки в 21,13 миллиарда юаней, в то время как инвестиции в исследования и оборудование составили 185,2 миллиарда юаней, при этом государственный капитал города Хэфэй обеспечил около 80% финансирования на ранних этапах проекта. Южнокорейские компании Samsung Electronics и SK Hynix берут на себя инвестиции, создание рабочих мест, разработку технологий и поддержку партнеров. Южнокорейское правительство планирует привлечь 622 триллиона вон частных инвестиций к 2047 году и предоставить 17 триллионов вон низкопроцентных кредитов и 1,1 триллиона вон для фонда полупроводниковой экосистемы, но большую часть затрат несут компании. Исполнительный вице-президент Ассоциации полупроводниковой промышленности Южной Кореи Пак Гён Су заявил, что полупроводниковая промышленность требует постоянных инвестиций, особенно в условиях экономического спада, необходимо поддерживать инвестиции в исследования и оборудование. Китай стремится догнать на уровне государственной поддержки, и Южной Корее также необходимо совместное действие правительства, политиков, финансовых учреждений и компаний.
Цена --
Этот контент предоставляется исключительно в общих информационных целях и не является финансовым, инвестиционным, юридическим или налоговым советом. Любые мероприятия, вознаграждения, онлайн-акции или связанная с ними информация, упомянутые в настоящем документе, не должны рассматриваться как рекомендация, приглашение к покупке, продаже, торговле или иной сделке с какими-либо криптоактивами. Криптоактивы очень волатильны и могут привести к убыткам. Доступность услуг, продуктов WEEX и связанных с ними событий может варьироваться в зависимости от региона. Вы несете ответственность за обеспечение того, чтобы ваше участие соответствовало применимым местным законам и нормативным актам.
Вам также может понравиться

Число сотрудников R&D Changxin Memory увеличилось примерно на 60%, доля рынка DRAM возросла до 9,5%

SK Hynix разрабатывает 3D DRAM с использованием технологий контрактного производства

Jump Trading торгует почти 150 миллиардов долларов на Hyperliquid

Samsung и ASML сотрудничают в разработке технологии EUV с высокой числовой апертурой

OpenAI Astra запускает рост цен на чипы памяти

Changxin Technology начнет обоснование дивидендной политики в подходящее время

Выручка DRAM-отрасли во втором квартале 2026 года увеличилась на 59,5% по сравнению с предыдущим кварталом

Доля 1c DRAM от SK Hynix превысит 35% в начале следующего года

Источник о Naura и 3D DRAM памяти недоступен

Google разбирает списанные серверы для переработки DDR4 в ответ на нехватку памяти

Дефицит DRAM до 2030 года: как позиционировать себя на рынке гигантов памяти?

Аналитик Citrini: снижение количества слоев HBM Rubin Ultra может увеличить общий спрос

Выручка Changxin Technology за первое полугодие составила 150,31 миллиарда юаней, рост на 873,64%

Samsung разрабатывает 8-слойный HBM4E для удовлетворения требований NVIDIA

ADATA Technology планирует завод по производству электронных компонентов в Парагвае

Экспортные цены на DRAM в Корее в августе выросли на 401% по сравнению с прошлым годом, SK Hynix прогнозирует ухудшение нехватки памяти в следующем году

Longxin и Yangtze Memory Technologies подтверждают качество с помощью Apple, расширяя рынок Северной Америки

Томаш Тунгус: Узкие места в инфраструктуре ИИ повышают затраты

Пиковая мощность производства DRAM CXMT, резкий рост цен

Генеральный директор Micron заявил, что память стала стратегической инфраструктурой для ИИ

Goldman Sachs оптимистично смотрит на Changxin: удвоение мощностей за четыре года, сможет ли она покрыть половину спроса на DRAM в Китае?

Goldman Sachs повысил прогноз WFE до 150 миллиардов долларов на 2026 год

Запрос на 474 гигаВт: проверка электроснабжения центров обработки данных возросла

Бернстайн интерпретирует: Samsung HBM4 ускоряет объемы, доходы Q3 могут превысить SK Hynix

Компания Qianhe Yibang успешно запустила первую в мире 4-слойную 3D DRAM чип

ETF на чипы памяти DRAM в США привлек 12 миллиардов долларов за два месяца, непрерывный приток в течение 8 недель

Micron заключила 16 долгосрочных контрактов и подчеркнула спрос на ИИ-память

Hua Bang Dian расширяет производство на заводе в Гаосюне, запуск Module B запланирован на 2027 год

Цена на спотовый DDR4 выросла на 0,67%, объем торгов низкий

