Samsung Electronics prüft Umstellung der NRD-K 2-Linie in Giheung auf Foundry-Produktion

Samsung Electronics prüft derzeit die Möglichkeit, die NRD-K 2-Linie in Giheung in eine Foundry-Produktionslinie umzuwandeln. Das Zielprodukt ist der 2-Nanometer HBM-Basis-Dice von NVIDIA. Diese Linie soll in der zweiten Hälfte des Jahres 2028 in Betrieb genommen werden und könnte im "Send-Fab"-Modus betrieben werden. NRD-K ist ein nächstes Forschungs- und Entwicklungszentrum für Halbleiter, das Samsung Electronics am Giheung-Campus aufbaut, mit einer Gesamtinvestition von etwa 20 Billionen Won. Diese Prüfung zielt darauf ab, einige Forschungseinrichtungen entsprechend der Nachfrage nach Foundry für KI-Halbleiter neu zu positionieren. HBM-Basis-Dice sind Logikchips, die DRAM vertikal stapeln und Daten mit externen Prozessoren austauschen, wobei die Rolle des Foundry-Prozesses nach HBM4 zunimmt. Samsung Electronics plant, den 2-Nanometer-Prozess für maßgeschneiderte HBM und HBM5 anzuwenden. Im Wettbewerb um die nächste Generation von HBM nimmt die Bedeutung des Basis-Dice-Prozesses und der Verpackungstechnologie zu. Die Umstellung der NRD-K 2-Linie befindet sich noch in der mittelfristigen Prüfungsphase, und der endgültige Verwendungszweck kann je nach Marktsituation variieren. Die DRAM-Produktion wird voraussichtlich auf dem Pyeongtaek-Campus konzentriert sein.

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