Winbond Electronics erweitert die Produktion in Kaohsiung, Modul B soll 2027 beginnen

Winbond Electronics hat die Erweiterungspläne für das Werk in Kaohsiung, Luzhu, vorgezogen und wird die ursprünglich geplanten Phasen zwei und drei zu Modul B zusammenlegen und gleichzeitig entwickeln. Der Bau des Reinraums soll voraussichtlich 2027 beginnen, und die Inbetriebnahme könnte bereits Anfang 2029 erfolgen, abhängig von den Prognosen der Kunden und der schrittweisen Einführung von Geräten gemäß dem LTA. Derzeit haben bereits Kunden Gespräche über die Produktionskapazitäten für 2029 und 2030 aufgenommen. Im dritten Quartal sind die Nischen-DRAM- und SLC-NAND-Produkte von Winbond stark nachgefragt, wobei die Preise voraussichtlich um etwa 50 % im Quartalsvergleich steigen werden; NOR Flash profitiert von den Bestellungen großer Kunden im Cloud-Service-Bereich, mit einem geschätzten Preisanstieg von etwa 30 % im Quartal. Im vierten Quartal wird ein Preisanstieg bei Speicherprodukten auf etwa 2 % bis 5 % geschätzt, aber dank der erhöhten DRAM-Kapazitäten und des Wachstums der Versandmengen können Umsatz und Gewinn weiterhin im Quartalsvergleich steigen. Winbond erzielte im zweiten Quartal einen konsolidierten Umsatz von 59,843 Milliarden NT$, was einem Anstieg von 56,4 % im Quartalsvergleich und 184,7 % im Jahresvergleich entspricht. Die DRAM-Preise stiegen im Quartalsvergleich um etwa 100 %, während Flash um etwa 43 % zulegte, und die konsolidierte Bruttomarge stieg auf 66,2 %, mit einem nach Steuern erzielten Gewinn pro Aktie von 5,40 NT$. Die Produktplanung für Modul B umfasst Standard-DRAM, CUBE-DRAM, Wafer-on-Wafer (WoW) und Siliziumkondensatoren (Si-Cap), die 14-Nanometer- und zukünftige 12-Nanometer-DRAM-Prozesse unterstützen werden. Zudem ist die Einführung von EUV-Geräten geplant.

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