Samsung y SK Hynix aumentan la inversión en I+D de HBM

Samsung Electronics y SK Hynix están acelerando su despliegue en HBM y tecnologías de almacenamiento de próxima generación. En el segundo trimestre, Samsung Electronics alcanzó un gasto en I+D récord de 160 billones de wones (aproximadamente 11.6 mil millones de dólares), con planes de expandir su gama de productos de almacenamiento de alta gama como HBM4, HBM4E y DDR5. SK Hynix está desarrollando tecnologías de próxima generación como HBM5, unión híbrida e iHBM, y se espera que su gasto de capital alcance los 400 billones de wones (aproximadamente 32.6 mil millones de dólares) este año.

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