SK Hynix desarrolla 3D DRAM utilizando procesos de fabricación por encargo

SK Hynix anunció el día 9 que el desarrollo de su próxima generación de memoria 3D DRAM se podrá realizar utilizando procesos de fabricación por encargo. Durante el foro futuro de SK Hynix 2026, celebrado en el centro Supex del parque industrial de Icheon, el vicepresidente Kim Kyung-hoon y Sun Ho-young presentaron las principales direcciones tecnológicas del 3D DRAM, que incluyen el uso de procesos de fabricación lógica para los circuitos periféricos de DRAM, la maximización del ancho de banda del bus de datos y la transmisión a distancias ultra cortas. El 3D DRAM es una memoria de próxima generación que apila verticalmente las celdas de memoria para aumentar la integración. Para lograr esta tecnología, es necesario resolver problemas en el ámbito del empaquetado, como el diseño, el calor, las interconexiones finas, el enlace y la integración de procesos. A medida que las fronteras entre el empaquetado de etapas anteriores y posteriores, así como entre la fabricación por encargo y la tecnología de memoria, se acercan, la optimización conjunta más allá de los campos existentes se volverá más importante. Sun Ho-young afirmó que la tecnología 3D está cambiando las fronteras tecnológicas entre las fábricas de obleas y el empaquetado, y que es necesario establecer un nuevo sistema de colaboración junto con la innovación en tecnologías de empaquetado avanzadas. El profesor de la Universidad de Corea, Shin Chang-hwan, comentó que el 3D DRAM rompe las fronteras entre la memoria y la lógica, y que, a medida que los dispositivos se miniaturizan y se acercan a sus límites, la transición hacia la tecnología 3D es inevitable. Propuso un marco de diseño integrado en 3D que vincule inteligencia artificial, materiales, dispositivos y empaquetado. El presidente de SK Hynix, Kwon Oh-joon, afirmó que el mercado de la memoria ha pasado de un camino lineal a una curva cambiante, y que es necesario adaptarse de manera flexible a los cambios en el entorno externo.

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