SK Hynix та SanDisk представили перший стандарт високошвидкісної флеш-пам'яті об'ємом 512 ГБ

SK Hynix та SanDisk представили перший стандарт високошвидкісної флеш-пам'яті (HBF) об'ємом до 512 ГБ. Це оголошення відбулося під час заходу Future of Memory and Storage 2026 (FMS), який проходить з 5 по 7 травня в Каліфорнії, США. HBF є шаром пам'яті на основі NAND, що розташований між високошвидкісною пам'яттю (HBM) та SSD, поєднуючи швидку структуру передачі даних HBM з розширюваністю обсягу NAND. Перший стандарт визначає максимальний обсяг у 512 ГБ, використовуючи 8- та 16-шарові NAND чіпи, а пропускна здатність підтримується в діапазоні від 0,4 ТБ/с до 3,0 ТБ/с. Для з'єднання HBF з процесором використовується UCIe, а стандарт включає інтерфейси з'єднання, електричні характеристики, надійність процесу складання HBF та інструкції щодо використання програмного забезпечення. Google та Tenstorrent також брали участь у стандартизації, а HBF буде застосовуватися в системах AI-інференції та дизайні прискорювачів. SK Hynix представив 10-те покоління 375-шарових 4D NAND пластин, заявивши, що продуктивність зросла в 2,5 рази відносно споживаної потужності. Комерційне впровадження HBF ще не відбулося, і, ймовірно, його роль зміниться залежно від вибору проектування операторів дата-центрів.

Цей контент надано лише для загальних інформаційних цілей і не є фінансовою, інвестиційною, юридичною чи податковою консультацією. Події, нагороди, онлайн-акцій або пов’язану інформацію, згадана тут, не слід розглядати як рекомендацію, прохання чи запрошення до купівлі, продажу, торгівлі чи інших операцій з криптоактивами. Криптоактиви є дуже волатильними та можуть призвести до збитків. Доступність послуг, продуктів WEEX та пов’язаних із ними подій може відрізнятися залежно від регіону. Ви несете відповідальність за забезпечення відповідності вашої участі чинному місцевому законодавству та нормативним актам.