Samsung Electronics представила концепцію 400-ступеневого BV-NAND та zHBM

Samsung Electronics представила концепцію 400-ступеневого BV-NAND та zHBM, яка передбачає накладення пам'яті на AI-акселератори. Ця ідея зосереджена на скороченні відстані переміщення даних, щоб зменшити вузькі місця в пам'яті та зберіганні в AI-системах. Samsung Electronics представила V10 Bonding V-NAND на конференції Future of Memory and Storage 2026, що проходить з 5 по 7 травня в Санта-Кларі, штат Каліфорнія, США. BV-NAND спроектовано з метою підвищення щільності зберігання приблизно на 58% та покращення продуктивності за рахунок технології з'єднання пластин. З'єднання пластин передбачає об'єднання пластини з пам'яттю та пластини з навколишніми схемами, з акцентом на забезпечення високої ємності та енергоефективності, необхідних для AI-систем. Samsung також представила концепції zHBM та zNAND-O, де zHBM передбачає вертикальне накладення пам'яті на акселератори, скорочуючи відстань передачі даних. Згідно з опублікованим описом, zHBM має на меті досягти щільності зберігання, що в 10 разів перевищує HBM5, та енергоефективності на рівні трьох разів. Це оголошення демонструє, що конкуренція в HBM розширюється до змагання в упаковці, виробництві та інтеграції пам'яті. На заході основними темами обговорення будуть технології пам'яті та зберігання для AI-систем та дата-центрів.

Цей контент надано лише для загальних інформаційних цілей і не є фінансовою, інвестиційною, юридичною чи податковою консультацією. Події, нагороди, онлайн-акцій або пов’язану інформацію, згадана тут, не слід розглядати як рекомендацію, прохання чи запрошення до купівлі, продажу, торгівлі чи інших операцій з криптоактивами. Криптоактиви є дуже волатильними та можуть призвести до збитків. Доступність послуг, продуктів WEEX та пов’язаних із ними подій може відрізнятися залежно від регіону. Ви несете відповідальність за забезпечення відповідності вашої участі чинному місцевому законодавству та нормативним актам.