Der erste reine Speicher-ETF an der US-Börse, der DRAM Memory ETF, hat Changxin Technology aufgenommen. Dieser ETF wurde am 2. April 2026 gegründet und hat ein Volumen von 24,55 Milliarden USD. Die Rendite erreichte zeitweise 190 % und liegt derzeit bei 161,5 %. Samsung, Micron und SK Hynix machen zusammen über 73 % des Gewichts aus, während Changxin Technology einen Anteil von 2,52 % hat. Seit dem Börsengang am STAR Market hat Changxin Technology eine Marktkapitalisierung von über 300 Milliarden CNY, die zeitweise 400 Milliarden CNY überschritt. Am kommenden Montag wird die Handelsbeschränkung aufgehoben, und der ETF tritt in die reguläre Handelsphase ein.
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