SK Hynix und SanDisk präsentieren den ersten Standard für Hochbandbreiten-Flash mit 512 GB
SK Hynix und SanDisk haben den ersten Standard für Hochbandbreiten-Flash (HBF) mit einer maximalen Kapazität von 512 GB vorgestellt. Diese Ankündigung fand im Rahmen der Future of Memory and Storage 2026 (FMS) Veranstaltung statt, die vom 5. bis 7. Oktober in Kalifornien, USA, abgehalten wird. HBF ist eine NAND-basierte Speicherschicht, die zwischen Hochbandbreitenspeicher (HBM) und SSDs positioniert ist und die schnelle Datenübertragungsstruktur von HBM mit der Kapazitätserweiterung von NAND kombiniert. Der erste Standard definiert eine maximale Kapazität von 512 GB, indem NAND-Die in 8- und 16-lagigen Stapeln angeordnet werden, und unterstützt Bandbreiten von 0,4 TB/s bis 3,0 TB/s. UCIe wird als Verbindungsmethode zwischen HBF und Prozessoren verwendet, und dieser Standard umfasst Verbindungsinterfaces, elektrische Eigenschaften, die Zuverlässigkeit des HBF-Die-Stapelverfahrens sowie Software-Nutzungsrichtlinien. Auch Google und Tenstorrent haben an der Standardisierung mitgewirkt, und HBF wird voraussichtlich in KI-Inferenzsystemen und Beschleunigerdesigns Anwendung finden. SK Hynix hat auch ein 10. Generation 375-lagiges 4D NAND-Wafer vorgestellt und berichtet von einer 2,5-fachen Verbesserung der Leistung im Verhältnis zum Energieverbrauch. Die kommerzielle Einführung von HBF-Produkten hat noch nicht stattgefunden, und die Rolle wird voraussichtlich je nach den Designentscheidungen der Rechenzentrumsbetreiber variieren.
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