Análisis de Bernstein: Los precios de la memoria siguen aumentando, pero los teléfonos y las PC no pueden seguir el ritmo

TL;DR
· El seguimiento de Bernstein de junio muestra que el precio de contrato de muestras de DRAM convencional en el 2T de CY26 aumentó aproximadamente un 74% trimestre a trimestre, mientras que el NAND aumentó alrededor del 60%.
· TrendForce estima públicamente que en el 3T de 2026, el precio de DRAM general aumentará entre un 13% y un 18%, y el NAND Flash aumentará entre un 10% y un 15%.
· Samsung, SK Hynix y Micron continúan beneficiándose, pero las limitaciones de LTA, la reducción de la producción de teléfonos inteligentes y la competencia en NAND suprimirán la magnitud de los aumentos de precios.

El último seguimiento de memoria de junio de Bernstein eleva los aumentos de precios de la memoria a un nivel alto. Su muestra ponderada muestra que el precio de contrato de DRAM convencional en el 2T de CY26 aumentó aproximadamente un 74% en comparación con el primer trimestre, mientras que el precio general de contrato de NAND aumentó alrededor del 60%.

Este conjunto de números tiene una importancia directa para los inversores: el aumento de los precios de la memoria elevará las expectativas de ingresos y ganancias para fabricantes como Samsung Electronics, SK Hynix, Micron y SanDisk, al mismo tiempo que aumentará los costos de adquisición para fabricantes de PC, teléfonos inteligentes y servidores. En los últimos meses, la demanda de servidores de IA y proveedores de nube ha impulsado los precios de la memoria, pero la electrónica de consumo ordinaria ha comenzado a mostrar un efecto contrario, con los fabricantes de teléfonos inteligentes reduciendo la producción y las configuraciones, lo que dificulta que las PC y los sectores de consumo absorban los continuos aumentos de precios.

Es importante distinguir que el seguimiento de junio de Bernstein pertenece a un alcance de muestra de informe y no es el valor final oficial publicado por TrendForce. La previsión pública de TrendForce en marzo había indicado previamente un aumento trimestre a trimestre del 58% al 63% para los precios de contrato de DRAM general en el 2T de CY26 y un aumento trimestre a trimestre del 70% al 75% para el NAND Flash. A partir del 3 de julio, TrendForce estima públicamente que en el 3T de 2026, el precio de contrato de DRAM general aumentará entre un 13% y un 18%, y los precios de contrato de NAND Flash aumentarán entre un 10% y un 15%.

En otras palabras, los precios de la memoria siguen aumentando, y la escasez de servidores no ha terminado, pero la parte más pronunciada del aumento de precios puede haber pasado ya.

Los precios de DRAM en el 2T aumentaron un 74%, el DDR5 de servidor sigue siendo la demanda más fuerte

Los precios de DRAM siguen siendo fuertes, apoyados por servidores.

El seguimiento de junio de Bernstein muestra que los precios al contado continuaron rebotando en mayo. Los chips de DRAM DDR4 y DDR5 para PC aumentaron entre un 5.6% y un 11.5% trimestre a trimestre, mientras que los módulos de DRAM para servidores aumentaron entre un 6.1% y un 26.4%, siendo el DDR5 el que tuvo un rendimiento particularmente bueno. Más importante aún, los precios al contado siguen siendo significativamente más altos que los precios de contrato, lo que significa que los compradores que no aseguran suministros a través de acuerdos a largo plazo enfrentarán costos más altos en el mercado al contado.

El desglose de los aumentos trimestre a trimestre en los precios de contrato de DRAM convencional muestra que los aumentos de precios no se limitan a una sola categoría. El DRAM para PC aumentó aproximadamente un 49% trimestre a trimestre, el DRAM para servidores aumentó aproximadamente un 67%, el DRAM móvil aumentó aproximadamente un 80%, y el DRAM de consumo aumentó aproximadamente un 85%. La importancia es mayor en el lado del servidor, ya que está directamente relacionado con los centros de datos de IA y los gastos de capital de los proveedores de nube, lo que puede apoyar mejor las expectativas de ganancias de los fabricantes de memoria.

Resumen de precios al contado y de contrato de DRAM; promedio ponderado de muestra de DRAM convencional del 2T de CY26 +73.9%, precio al contado del módulo DDR5 de servidor QoQ +26.4%.

Los proveedores de servicios en la nube estadounidenses siguen priorizando el suministro. El informe menciona que SK Hynix y Micron habían negociado básicamente acuerdos a largo plazo relevantes para abril, mientras que Samsung sigue presionando por precios más altos. El techo de precios del acuerdo a largo plazo de Micron está cerca de su nivel del segundo trimestre, mientras que los techos de Samsung y SK Hynix pueden ser aún más altos. Las negociaciones con los proveedores de nube chinos siguen en curso hasta el tercer trimestre, con términos relativamente menos favorables.

Esta también es la razón por la cual la tasa de aumento en los precios de contrato se desacelerará, pero no significa un giro hacia la disminución a corto plazo. La demanda de servidores sigue digiriendo el nuevo suministro, especialmente para DDR5 y módulos de servidor de gama alta, que siguen siendo la parte más fuerte de todo el mercado de DRAM.

Comparación de precios al contado y de contrato de DDR5 RDIMM de servidor; los precios al contado son mucho más altos que los precios de contrato, con precios de contrato de junio que aumentaron un 9.1% trimestre a trimestre, y la prima de DDR5 sobre DDR4 se expandió al 22%.

Los precios de NAND están aumentando, pero los precios de obleas se han debilitado

El NAND parece estar en un ciclo de aumento significativo, pero la estructura es más compleja que la de DRAM.

La muestra de Bernstein muestra que en junio, el precio al contado de las obleas de NAND cayó entre un 3% y un 4% trimestre a trimestre, mientras que el precio de contrato de las obleas solo aumentó ligeramente entre un 0.3% y un 3.7%. Mirando únicamente las obleas, los precios han claramente debilitado en comparación con períodos anteriores. Sin embargo, se espera que los precios de contrato de NAND móvil y SSD aumenten significativamente entre un 70% y un 80%, impulsando el precio general de contrato de NAND hacia arriba en aproximadamente un 60% en el segundo trimestre.

No todos los segmentos de NAND están experimentando el mismo aumento. El segmento de obleas ya ha mostrado signos de fatiga, mientras que la demanda de productos finales y las necesidades a nivel empresarial continúan apoyando el precio promedio general.

Esto también explica por qué la tasa de aumento en los precios de NAND en el tercer trimestre es difícil de mantener al nivel del segundo trimestre. Los altos aumentos en el segundo trimestre fueron impulsados más por ajustes de precios en NAND móvil y SSD. Una vez que los fabricantes de teléfonos inteligentes reduzcan la adquisición y bajen las configuraciones de capacidad, la presión de precios sobre NAND se hará evidente más rápido que en el DRAM de servidor.

Tendencias en los precios de contrato de obleas de NAND y eMMC/UFS; los precios de contrato de obleas TLC aumentaron un 3.7% mes a mes en junio, y QLC aumentó un 0.3%, pero NAND móvil y SSD impulsaron el aumento general trimestre a trimestre de aproximadamente un 60% en el 2T.

Para empresas relacionadas con NAND como SanDisk y Kioxia, esta diferenciación es particularmente importante. Los precios a corto plazo siguen tendiendo al alza, pero si los precios de las obleas se debilitan primero, la posterior elasticidad de ganancias dependerá más de los SSD a nivel empresarial, la ejecución de contratos móviles y la velocidad de digestión de inventarios.

Los precios seguirán aumentando en el 3T, solo a un ritmo más lento

El tercer trimestre no marca el final de los aumentos de precios, sino más bien una desaceleración en el ritmo de los aumentos.

TrendForce estima públicamente el 3 de julio que en el 3T de CY26, el precio de contrato de DRAM general aumentará entre un 13% y un 18%, y los precios de contrato de NAND Flash aumentarán entre un 10% y un 15%. En comparación con el segundo trimestre, la tasa de aumento se ha reducido claramente.

La presión proviene de ambos extremos.

Por un lado, los servidores de IA siguen adquiriendo suministros, y los proveedores de servicios en la nube estadounidenses están recibiendo suministro prioritario, lo que continúa apoyando los precios a corto plazo. Por otro lado, la electrónica de consumo ha comenzado a ajustarse. Los OEM de teléfonos inteligentes están comenzando a reducir los planes de producción y el uso de memoria, siendo los modelos de gama baja a media los más afectados, ya que dependen más de productos maduros como LPDDR4 y encuentran más difícil trasladar los aumentos de costos a los consumidores.

TrendForce había estimado previamente que la producción global de teléfonos inteligentes en 2026 disminuirá un 10% interanual a aproximadamente 1.135 millones de unidades, con un escenario pesimista que podría ver una caída de más del 15%. Cuando una disminución en la producción de teléfonos inteligentes coincide con una reducción en las especificaciones de memoria, el potencial de aumento de precios para DRAM móvil y NAND móvil se verá restringido.

El lado de PC también enfrenta presiones similares. En junio, los precios al contado de chips DDR4 y DDR5 para PC continuaron aumentando, pero si la demanda final no puede soportar costos más altos, el ritmo de adquisición puede desacelerarse, y los canales serán más cautelosos al reabastecer inventarios.

Tendencias en los precios al contado y de contrato de chips DDR5 para PC; desde finales de 2025 hasta junio de 2026, los precios al contado se recuperaron rápidamente desde un punto bajo, con un breve ajuste en marzo-abril antes de volver a aumentar.

Otra restricción proviene de los acuerdos a largo plazo. Los LTA pueden ayudar a los fabricantes de memoria a asegurar pedidos y reducir el impacto de las caídas de precios, pero también pueden limitar los aumentos de precios adicionales. Especialmente cuando algunos acuerdos establecen techos de precios, incluso si los precios al contado aumentan, es posible que no se reflejen completamente en los precios de venta promedio de los fabricantes para ese trimestre.

Por lo tanto, el aumento de muestra en los precios de contrato en el segundo trimestre no puede equipararse simplemente con el aumento real de ASP para cada empresa. La mezcla de productos, la proporción de HBM, los techos de precios de ejecución de LTA y la liquidación final al final del trimestre afectarán todos el reconocimiento final de ingresos para empresas como Samsung, SK Hynix y Micron.

Los fabricantes siguen beneficiándose, pero los teléfonos inteligentes y los LTA suprimirán los aumentos realizados

Los fabricantes de memoria siguen siendo los beneficiarios más directos.

Según un informe de Investing.com en junio, Bernstein elevó el precio objetivo para Samsung Electronics a 440,000 KRW, para SK Hynix a 3.3 millones de KRW, y para Micron a 1,300 USD, manteniendo una calificación de "superior al mercado". El precio objetivo de SanDisk también se elevó a 3,000 USD, manteniendo una calificación de "superior al mercado", debido a nuevos acuerdos de memoria a largo plazo y precios mínimos. Kioxia mantiene una calificación de "inferior al mercado".

Las calificaciones en sí mismas no son el enfoque de este artículo. Más importante aún, en el actual entorno de precios, el mercado sigue dispuesto a otorgar a los principales fabricantes de DRAM y algunos de NAND expectativas de ganancias más altas.

Sin embargo, los aumentos de precios a corto plazo no pueden interpretarse directamente como un aumento sin riesgo a largo plazo.

La destrucción de la demanda del consumidor ya ha ocurrido. Los fabricantes de teléfonos inteligentes están reduciendo la producción y las especificaciones, siendo los modelos de gama baja a media más sensibles. Cuanto más rápido aumenten los precios de la memoria, más probable es que los fabricantes finales respondan reduciendo la capacidad, cambiando a productos de generaciones anteriores o retrasando la adquisición.

El suministro también seguirá aumentando. El modelo de Bernstein asume que los precios de la memoria alcanzarán gradualmente su punto máximo en la segunda mitad de CY27 y se normalizarán en CY28. La actual escasez es más resultado de la fuerte demanda de servidores de IA, ajustes de suministro retrasados y el efecto combinado de acuerdos a largo plazo que aseguran suministros, en lugar de un desequilibrio permanente entre oferta y demanda.

La competencia de los fabricantes chinos en el sector de NAND sigue siendo una presión a largo plazo. En comparación con DRAM, NAND es más susceptible a los impactos de nueva capacidad y competencia de precios. Una vez que la demanda se desacelere y la oferta aumente, las caídas de precios pueden ocurrir primero en los segmentos más débiles de NAND.

La línea principal a corto plazo de esta ronda del mercado de memoria sigue siendo clara: la demanda de servidores y de IA mantiene altos los precios de DRAM, mientras que el NAND también fue impulsado por los precios móviles y de SSD en el segundo trimestre. Sin embargo, a partir del tercer trimestre, la presión sobre los teléfonos inteligentes, las PC y los sectores de consumo ralentizará significativamente el ritmo de los aumentos de precios. Para los inversores, "los precios siguen aumentando" y "la fase más fuerte de los aumentos de precios ya ha pasado" son dos asuntos que deben ser vistos por separado.