Amerykański ETF na chipy pamięci DRAM przyciągnął 12 miliardów dolarów w ciągu ostatnich dwóch miesięcy, notując 8 tygodni napływu kapitału
Amerykański ETF na chipy pamięci DRAM w ciągu ostatnich dwóch miesięcy zwiększył zarządzane aktywa o 20% do 28 miliardów dolarów. Pomimo spadku ceny funduszu o 28%, przyciągnął on około 12 miliardów dolarów netto napływu kapitału, notując jednocześnie 8 tygodni z rzędu wzrostu. Od momentu powstania 2 kwietnia, DRAM zgromadził łącznie 27 miliardów dolarów napływu kapitału, a jego cena wzrosła o 98%. Dodatkowo, ETF na chipy pamięci RAM z dźwignią 2x, który został uruchomiony 24 czerwca, przyciągnął około 893 miliony dolarów napływu kapitału.
Cena --
Niniejsza treść ma charakter wyłącznie informacyjny i nie stanowi porady finansowej, inwestycyjnej, prawnej ani podatkowej. Wszelkie wydarzenia, nagrody, promocje online lub powiązane informacje, o których tu mowa, nie powinny być traktowane jako rekomendacja, zachęta ani zaproszenie do kupna, sprzedaży, wymiany lub innego rodzaju obrotu aktywami kryptograficznymi. Aktywa kryptograficzne charakteryzują się dużą zmiennością i mogą prowadzić do strat. Dostępność usług, produktów i powiązanych wydarzeń WEEX może się różnić w zależności od regionu. Użytkownik jest odpowiedzialny za upewnienie się, że jego udział jest zgodny z obowiązującymi lokalnymi przepisami i regulacjami.
Możesz również polubić

Niedobór DRAM do 2030 roku: jak zainwestować w gigantów pamięci?

Analityk Citrini: Obniżenie liczby warstw HBM Rubin Ultra może zwiększyć całkowity popyt

Longsys Technology osiągnęło przychody w wysokości 150,31 miliarda juanów w pierwszej połowie roku, co oznacza wzrost o 873,64%

Samsung opracowuje 8-warstwowy HBM4E, aby spełnić wymagania Nvidii

ADATA Technology planuje zakład produkcji komponentów elektronicznych w Paragwaju

Ceny eksportowe DRAM w Korei Południowej wzrosły o 401% w sierpniu, Hynix przewiduje zaostrzenie niedoboru pamięci w przyszłym roku

Changxin i Yangtze Memory potwierdzają jakość dzięki Apple, rozwijając rynek północnoamerykański

Tomasz Tunguz: Wąskie gardła infrastruktury AI podnoszą koszty

CXMT DRAM osiąga szczyt wydajności, ceny znacznie rosną

CEO Micron stwierdza, że pamięć stała się strategiczną infrastrukturą AI

Goldman Sachs podnosi prognozę wydatków na sprzęt półprzewodnikowy WFE na 2026 rok do 150 miliardów dolarów

Analiza Bernstein: Przyspieszenie produkcji HBM4 przez Samsunga, przychody w Q3 mogą przewyższyć SK Hynix

Pierwszy na świecie 4-warstwowy chip 3D DRAM firmy Qianhe Yibang został pomyślnie uruchomiony

Micron podkreśla popyt na pamięci AI i zawiera 16 długoterminowych umów

Wahong Electric zwiększa produkcję w fabryce w Kaohsiung, budowa Module B planowana na 2027 rok

Ceny spotowe DDR4 wzrosły o 0,67%, niska aktywność handlowa

Prognoza przychodów Anthropic na 2028 rok wynosi 269 bilionów wonów

Kapitalizacja Changxin Memory osiągnęła 54,05 miliarda dolarów, zbliżając się do Intela

Nanya Technology rozważa inwestycję w sprzęt o wartości 6,2 miliarda dolarów, cel produkcji na 2028 rok

Guo Mingqi: Plotki o tym, że TSMC gromadzi chipy Apple o wartości 1 miliarda dolarów z powodu niedoboru pamięci, są nieprawdziwe

SK Hynix rozważa sprzedaż udziałów w fabryce w Chongqing, wspierając plany rozbudowy w Korei

Morgan Stanley utrzymuje ocenę dla koreańskiego sektora technologicznego, cele cenowe dla Samsunga i SK Hynix wskazują na wzrost o 65% i 74%

Goldman Sachs: Sprzedaż akcji AI w Korei Południowej osiągnęła przesyt, utrzymujemy pozycję nadwagi

Longsys Storage odrzuca żądanie Apple o obniżenie cen

Przychody Samsunga z HBM4 przekroczyły 1 miliard dolarów

Changxin Memory ma szansę dołączyć do trzech największych producentów pamięci na świecie

NVIDIA dostosowuje specyfikacje Rubin Ultra HBM w celu złagodzenia presji na dostawy

Micron zawarł 16 długoterminowych umów… 20% DRAM i 1/3 NAND zabezpieczone

Prognoza wzrostu cen pamięci DRAM serwerowej o 13-18% w trzecim kwartale 2026 roku




