SanDisk ogłasza prognozę popytu na NAND w 2027 roku na poziomie 75-100 EB

SanDisk ogłosił, że w 2027 roku z powodu procesu wnioskowania sztucznej inteligencji (AI) powstanie dodatkowy popyt na NAND w wysokości 75-100 eksabajtów (EB) jako pamięć podręczna KV. Pamięć podręczna KV jest danymi pośrednimi, które duże modele językowe (LLM) wykorzystują do przechowywania kontekstu, co sprawia, że przetwarzanie ich wyłącznie za pomocą pamięci o wysokiej przepustowości (HBM) GPU jest trudne. SanDisk przewiduje, że do 2030 roku 35% obciążenia NAND w centrach danych AI będzie pochodzić z pamięci podręcznej KV. Pamięć podręczna KV ma bezpośredni wpływ na koszty wnioskowania AI oraz czas odpowiedzi, co wskazuje na potrzebę zmiany sposobu przechowywania danych. SanDisk wspomniał, że popyt na pamięć podręczną KV wzrośnie dwukrotnie do 2028 roku podczas ogłoszenia wyników finansowych 29 stycznia 2026 roku. Ponadto, SanDisk ogłosił 2 lipca 2026 roku próbki 1Tb TLC 3D NAND BiCS10, twierdząc, że produkt ten spełnia wymagania centrów danych AI. SanDisk i SK Hynix podpisały memorandum o zrozumieniu w sprawie standaryzacji pamięci flash o wysokiej przepustowości (HBF) 6 sierpnia 2025 roku, a HBF ma zapewnić przepustowość podobną do HBM. SanDisk planuje pierwsze próbki HBF na drugą połowę 2026 roku, a próbki urządzeń do wnioskowania AI na początek 2027 roku.

Niniejsza treść ma charakter wyłącznie informacyjny i nie stanowi porady finansowej, inwestycyjnej, prawnej ani podatkowej. Wszelkie wydarzenia, nagrody, promocje online lub powiązane informacje, o których tu mowa, nie powinny być traktowane jako rekomendacja, zachęta ani zaproszenie do kupna, sprzedaży, wymiany lub innego rodzaju obrotu aktywami kryptograficznymi. Aktywa kryptograficzne charakteryzują się dużą zmiennością i mogą prowadzić do strat. Dostępność usług, produktów i powiązanych wydarzeń WEEX może się różnić w zależności od regionu. Użytkownik jest odpowiedzialny za upewnienie się, że jego udział jest zgodny z obowiązującymi lokalnymi przepisami i regulacjami.