Samsung Electronics розглядає перехід на виробництво на лінії NRD-K 2 у Кіхуні

Samsung Electronics розглядає можливість перетворення лінії NRD-K 2 у Кіхуні на виробничу лінію для фаундерів. Цільовий продукт - це 2-нм базовий чіп HBM від NVIDIA. Ця лінія планується до запуску в другій половині 2028 року і, ймовірно, буде працювати за принципом 'Send-Fab'. NRD-K - це новий комплекс для досліджень і розробок напівпровідників, який Samsung Electronics будує на кампусі в Кіхуні, з загальними інвестиціями приблизно 20 трильйонів вон. Цей перегляд має на меті перенесення частини дослідницьких і розробницьких потужностей відповідно до попиту на фаундери для AI-напівпровідників. Базовий чіп HBM - це логічний чіп, який вертикально укладає DRAM і обмінюється даними з зовнішніми процесорами, і роль фаундерів у процесі HBM4 зростає. Samsung планує застосувати 2-нм технологію для індивідуальних HBM та HBM5. У конкуренції за наступне покоління HBM зростає значення процесу базового чіпа та технології упаковки. Перехід на лінію NRD-K 2 все ще перебуває на етапі середньо- та довгострокового розгляду, а остаточне призначення може змінюватися залежно від ринкової ситуації. Виробничі потужності DRAM будуть зосереджені на кампусі в Пхьончхані.

Цей контент надано лише для загальних інформаційних цілей і не є фінансовою, інвестиційною, юридичною чи податковою консультацією. Події, нагороди, онлайн-акцій або пов’язану інформацію, згадана тут, не слід розглядати як рекомендацію, прохання чи запрошення до купівлі, продажу, торгівлі чи інших операцій з криптоактивами. Криптоактиви є дуже волатильними та можуть призвести до збитків. Доступність послуг, продуктів WEEX та пов’язаних із ними подій може відрізнятися залежно від регіону. Ви несете відповідальність за забезпечення відповідності вашої участі чинному місцевому законодавству та нормативним актам.