SOXL напівпровідниковий левередж ETF за два місяці залучив майже 7 мільярдів доларів

Станом на 24 серпня, тричі підвищений напівпровідниковий ETF-Direxion (SOXL) за два тижні липня та серпня залучив майже 7 мільярдів доларів чистого припливу, незважаючи на те, що світові акції чіпів суттєво знизилися з кінця червня. Поточна ціна SOXL становить 111,16 доларів, що на понад 60% нижче від попереднього максимуму в 302 долари. Цей ETF відстежує індекс напівпровідників Нью-Йоркської фондової біржі, до складу якого входять такі компанії, як NVIDIA, Micron Technology, AMD та Broadcom. Глобальне опитування менеджерів фондів Bank of America у серпні показало, що 53% респондентів обрали «покупку глобальних напівпровідників», що є значним зниженням порівняно з історичним максимумом у 82% минулого місяця. Fidelity попереджає, що прибутковий цикл напівпровідників тривалістю близько 40 місяців може наближатися до свого піку, вважаючи, що такі щоденно перезавантажувані левередж-продукти, як SOXL, можуть посилити збитки, якщо цикл галузі зміниться. Goldman Sachs суттєво підвищив прогнози витрат на обладнання для напівпровідникових фабрик у 2026-2028 роках до 150 мільярдів, 218 мільярдів і 281 мільярда доларів, вважаючи, що суперцикл напівпровідників, зумовлений штучним інтелектом, може тривати до 2028 року. JPMorgan також зберігає позитивний погляд, вважаючи, що напівпровідниковий сектор, що нещодавно коригувався, має привабливість.

Цей контент надано лише для загальних інформаційних цілей і не є фінансовою, інвестиційною, юридичною чи податковою консультацією. Події, нагороди, онлайн-акцій або пов’язану інформацію, згадана тут, не слід розглядати як рекомендацію, прохання чи запрошення до купівлі, продажу, торгівлі чи інших операцій з криптоактивами. Криптоактиви є дуже волатильними та можуть призвести до збитків. Доступність послуг, продуктів WEEX та пов’язаних із ними подій може відрізнятися залежно від регіону. Ви несете відповідальність за забезпечення відповідності вашої участі чинному місцевому законодавству та нормативним актам.