Ehemaliger CEO von Changxin Storage unter Druck gesetzt, um Samsung-Technologieformeln zu verlangen

Berichten der südkoreanischen "JoongAng Ilbo" zufolge zeigt eine Aussage des ehemaligen Leiters für Geräteinvestitionen von Changxin Storage (CXMT), Quan, dass der frühere CEO von CXMT, Wang Ningguo, zwischen Oktober und Dezember 2016 das koreanische Team um Quan versammelte und verlangte, dass sie die Prozessformelpläne (PRP) und Geräteinformationen von Samsung Electronics mitbringen. Er drohte, die südkoreanische Regierung zu informieren, falls sie dies nicht tun würden. Quan gab an, dass er sich damals ängstlich fühlte. Das Management von CXMT bezeichnete den Code von Samsung Electronics als "Huangshan". Quan trat CXMT nach 28 Jahren bei Samsung Electronics bei und wurde wegen des Verdachts auf unbefugte Offenlegung und Nutzung des von Samsung entwickelten 18-Nanometer-DRAM-Prozesses angeklagt. Im April wurde er in erster Instanz zu sieben Jahren Haft verurteilt und befindet sich derzeit im Berufungsverfahren. PRP umfasst die Reihenfolge, Geräte, Bedingungen und Firmen sowie Modelle von etwa 600 Schritten in der DRAM-Herstellung. Ein Prozessdesign-Ingenieur von Samsung, Park, hatte im September 2016 die relevanten Inhalte handschriftlich in einem 12-seitigen Notizbuch festgehalten und mitgenommen; er steht derzeit auf der roten Liste von Interpol. Quan erwähnte während der Gerichtsverhandlung, dass er bei der Kommunikation mit der chinesischen Seite gesagt hatte, dass er keine Investitionen in CXMT bereitstellen würde, wenn sie nicht in der Lage seien, 18 Nanometer zu erreichen, und dass er später erfuhr, dass die andere Seite von Anfang an an dieser Technologie interessiert war, während CXMT ursprünglich keine Pläne zur eigenen Entwicklung hatte. Der Druck fand vor der Investitionsvorbereitungssitzung statt. CXMT wurde 2016 mit einer Investition von 14,4 Milliarden RMB von der Regierung von Hefei gegründet und hat etwa 10 Jahre lang keinen Gewinn erzielt. Im letzten Jahr erzielte es erstmals einen Jahresgewinn von 7,1 Milliarden RMB.