TSMC implementa transistores 2D CPP de 50 nm
Taiwán TSMC y ASML, junto con imec, han implementado transistores bidimensionales (2D) con un pitch de poli de contacto (CPP) de 50 nm en obleas de 300 mm. La tasa de transistores que funcionaron correctamente fue del 94%. imec ha integrado nFET de disulfuro de molibdeno y pFET de disulfuro de tungsteno en la oblea de 300 mm. El vicepresidente de imec, Sankar Kar, afirmó que lograron un CPP de 50 nm sin comprometer el rendimiento de los nFET y pFET 2D. Min-Chao, CTO de TSMC, informó que se centraron en acelerar la transición de los laboratorios a las instalaciones de producción. ASML explicó que redujeron la longitud del canal a 28 nm utilizando tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV). Los materiales 2D son tan delgados como una capa atómica, lo que favorece el control de la corriente, pero también presentan problemas de defectos en la interfaz y corriente de fuga. El equipo de investigación formó una capa de óxido de aluminio de aproximadamente 0.3 nm de grosor sobre la superficie de disulfuro de molibdeno y registró un EOT de aproximadamente 1 nm y una transconductancia máxima de 0.45 mS/μm en un transistor de efecto de campo de disulfuro de molibdeno de una sola capa con una longitud de canal de 100 nm. Esta investigación valida la tecnología de fabricación de semiconductores de próxima generación, y para que los transistores de materiales 2D pasen a procesos de producción en masa, deben verificarse el rendimiento, la fiabilidad, la estabilidad a largo plazo y los costos de proceso.
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