Intel ha presentado EMIB-T, una tecnología de empaquetado avanzado de próxima generación que admite paquetes de hasta 120×120 mm. Aunque la tasa de rendimiento de validación técnica ha alcanzado el 90%, debe diferenciarse de la tasa de rendimiento final de producción. EMIB-T utiliza electrodos de silicio a través de la oblea (TSV) para mejorar el suministro de energía y el rendimiento de transmisión de señales de alta velocidad, con un objetivo de 25 micrómetros de distancia entre los bump, un paquete de 120×120 mm, integración de silicio de cálculo y memoria en un área de retícula de más de 9, soporte para HBM4e a 12 Gb/s y UCIe a 64 Gb/s. La creciente demanda de aceleradores de IA y chips de computación de alto rendimiento (HPC) ha puesto a EMIB-T en el centro de atención. El CoWoS de TSMC conecta chips lógicos y HBM utilizando un gran interpositor de silicio, mientras que la serie EMIB de Intel utiliza una estructura que coloca pequeños puentes de silicio, lo que reduce la cantidad de silicio utilizado y la carga de fabricación. El analista Kuo Ming-Chi señaló que, aunque alcanzar una tasa de rendimiento de validación técnica del 90% para EMIB-T es positivo, el proceso de aumentar la tasa de rendimiento del 90% a más del 98% será difícil. TSMC está ampliando la producción de CoWoS y planea producir productos de retícula 14 veces más grandes para 2026. Intel está ampliando su negocio de empaquetado avanzado para clientes externos, y ha declarado que el tamaño de los contratos se acerca a miles de millones de dólares anuales. La competitividad de EMIB-T se evaluará una vez que se hagan públicas las tasas de rendimiento de producción de los productos de clientes externos y los casos de adopción reales.
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