SK Hynix i SanDisk ujawniają standardy wysokoprzepustowej pamięci flash o pojemności 512 GB

SK Hynix i SanDisk ujawnili pierwszy standard wysokoprzepustowej pamięci flash (HBF) o maksymalnej pojemności 512 GB. Ogłoszenie miało miejsce w związku z wydarzeniem Future of Memory and Storage 2026 (FMS), które odbywa się od 5 do 7 maja w Kalifornii, USA. HBF to warstwa pamięci oparta na NAND, która znajduje się pomiędzy pamięcią o wysokiej przepustowości (HBM) a SSD, łącząc szybkie struktury przesyłania danych HBM z możliwością rozszerzenia pojemności NAND. Pierwszy standard definiuje maksymalną pojemność 512 GB, układając układy NAND w 8 i 16 warstwach, a przepustowość wspiera zakres od 0,4 TB/s do 3,0 TB/s. Do połączenia HBF z procesorem zastosowano UCIe, a standard obejmuje interfejsy połączeniowe, właściwości elektryczne, niezawodność procesu układów HBF oraz wytyczne dotyczące oprogramowania. Google i Tenstorrent również uczestniczyli w pracach nad standardem, a HBF ma być stosowany w systemach wnioskowania AI oraz projektach akceleratorów. SK Hynix zaprezentował 10. generację 375-warstwowych wafli NAND 4D, informując, że wydajność w stosunku do zużycia energii wzrosła o 2,5 razy. Przyjęcie komercyjnych produktów HBF jeszcze się nie odbyło, a ich rola prawdopodobnie zmieni się w zależności od wyborów projektowych operatorów centrów danych.

Niniejsza treść ma charakter wyłącznie informacyjny i nie stanowi porady finansowej, inwestycyjnej, prawnej ani podatkowej. Wszelkie wydarzenia, nagrody, promocje online lub powiązane informacje, o których tu mowa, nie powinny być traktowane jako rekomendacja, zachęta ani zaproszenie do kupna, sprzedaży, wymiany lub innego rodzaju obrotu aktywami kryptograficznymi. Aktywa kryptograficzne charakteryzują się dużą zmiennością i mogą prowadzić do strat. Dostępność usług, produktów i powiązanych wydarzeń WEEX może się różnić w zależności od regionu. Użytkownik jest odpowiedzialny za upewnienie się, że jego udział jest zgodny z obowiązującymi lokalnymi przepisami i regulacjami.