Samsung та ASML співпрацюють у розробці технології EUV-літографії з високою числовою апертурою

Samsung Electronics спільно з ASML розроблятиме технологію EUV-літографії з високою числовою апертурою (High-NA), плануючи з 2028 року впровадити обладнання High-NA EUV у виробництво DRAM та розширити його до 1,4 нм передових логічних технологій. Ця співпраця має на меті перехід від 6-дюймових фотомасок, які використовуються з 1980-х років, до 12-дюймових версій, щоб сприяти змінам у галузевих стандартах. Числова апертура High-NA EUV на 66% вища, ніж у традиційного EUV, що дозволяє створювати більш тонкі схеми, а заміна фотомасок підвищить ефективність виробництв напівпровідників та знизить витрати на виготовлення чіпів.

Цей контент надано лише для загальних інформаційних цілей і не є фінансовою, інвестиційною, юридичною чи податковою консультацією. Події, нагороди, онлайн-акцій або пов’язану інформацію, згадана тут, не слід розглядати як рекомендацію, прохання чи запрошення до купівлі, продажу, торгівлі чи інших операцій з криптоактивами. Криптоактиви є дуже волатильними та можуть призвести до збитків. Доступність послуг, продуктів WEEX та пов’язаних із ними подій може відрізнятися залежно від регіону. Ви несете відповідальність за забезпечення відповідності вашої участі чинному місцевому законодавству та нормативним актам.