Samsung розробляє 8-шарову HBM4E для задоволення вимог NVIDIA

Samsung Electronics розробляє 8-шарову продукцію HBM4E, щоб задовольнити вимоги NVIDIA, яка планує використовувати її для спеціалізованої пам'яті з високою пропускною здатністю NVHBM. Цей варіант зменшує кількість шарів у порівнянні з раніше запланованими 12-шаровими та 16-шаровими продуктами, при цьому мета NVIDIA полягає в досягненні швидкості 17-18 Гбіт/с, що приблизно на 20% вище, ніж у ранніх зразків зі швидкістю 14,4 Гбіт/с. Використання 8-шарової конструкції може знизити складність тоншення пластин, точного складання та упаковки на задньому плані, зменшити тиск на вихідний контроль якості та підвищити можливості постачання. NVHBM, як очікується, буде впроваджено з GPU Rubin Ultra AI, який буде запущено наступного року; інтерконект GPU Rubin Ultra буде розширено з 72 до максимум 576 одиниць, щоб компенсувати зниження ємності пам'яті одного GPU за рахунок більшої кількості швидкісних GPU. Samsung має можливості проектування та виробництва DRAM, логічних чіпів та основних голих чіпів, що дозволяє надавати комплексні послуги для спеціалізованої HBM. Експерти вважають, що Samsung продемонструвала високу швидкість передачі даних на HBM4, і з переходом NVIDIA до зосередження на швидкісній передачі, її відповідні можливості можуть отримати більше уваги.

Цей контент надано лише для загальних інформаційних цілей і не є фінансовою, інвестиційною, юридичною чи податковою консультацією. Події, нагороди, онлайн-акцій або пов’язану інформацію, згадана тут, не слід розглядати як рекомендацію, прохання чи запрошення до купівлі, продажу, торгівлі чи інших операцій з криптоактивами. Криптоактиви є дуже волатильними та можуть призвести до збитків. Доступність послуг, продуктів WEEX та пов’язаних із ними подій може відрізнятися залежно від регіону. Ви несете відповідальність за забезпечення відповідності вашої участі чинному місцевому законодавству та нормативним актам.