Yanwei Semiconductor liefert erneut SiC-Ausrüstung für 6- und 8-Zoll-Wafer

Yanwei Semiconductor hat erneut Gehäuse- und Taxi-Ausrüstung für 6- und 8-Zoll-Siliziumkarbid (SiC) Wafer an einen Kunden in China geliefert. Diese Ausrüstung zielt auf die Massenproduktion von Leistungshalbleitern ab, die in Elektrofahrzeugen, Energiespeichersystemen (ESS) und industriellen Stromversorgungen verwendet werden. Die von Yanwei (Jiangsu) Semiconductor Technology Co., Ltd. entwickelte SiC EPI-Ausrüstung wurde geliefert und unterstützt sowohl die flache als auch die Trench-SiC-Gehäuseproduktion. Der Name des Kunden, die Anzahl der gelieferten Geräte und der Lieferwert wurden nicht bekannt gegeben. Auf der offiziellen Produktseite von Yanwei Semiconductor wird die SiC EPI-Produktreihe "Torridus" vorgestellt, die Anwendungsbereiche wie Energiespeicherung, Ladeinfrastruktur, Solarenergie, Schienenverkehr und neue Energiefahrzeuge umfasst. SiC ist ein Halbleitermaterial, das gegenüber hohen Spannungen und Temperaturen widerstandsfähiger ist als Silizium, und das Gehäuseverfahren ist der Prozess, bei dem eine Kristallschicht auf dem Wafer wächst. Diese Ausrüstung ist entscheidend für die Kernprozesse von Elektrofahrzeug-Invertern, Ladeinfrastrukturen, ESS und industriellen Stromwandlungsgeräten. Yanwei Semiconductor hat die erste Montage und Prozessentwicklung von 8-Zoll-SiC-Gehäuse-Ausrüstung im Jahr 2024 durchgeführt, und mehrere Beschichtungsausrüstungen befinden sich bereits in der Validierungs- oder Produktionsphase in den Forschungs- und Produktionslinien der Kunden. Am 15. September 2025 lieferte Yanwei Semiconductor die SiC-Gehäuse-Ausrüstung der "Perfectus-A"-Serie an ein chinesisches Siliziummaterialunternehmen und schloss am 25. November 2025 eine A-Runde-Investition im Wert von mehreren hundert Millionen Yuan ab.