Intel hat die nächste Generation der fortschrittlichen Verpackungstechnologie EMIB-T vorgestellt, die Pakete mit einer Größe von bis zu 120×120 mm unterstützt. Die Technologie hat eine Verifizierungsrate von 90 % erreicht, jedoch muss dies von der endgültigen Produktionsausbeute unterschieden werden. EMIB-T nutzt durchkontaktierte Siliziumelektroden (TSV), um die Leistung der Stromversorgung und die Übertragungsgeschwindigkeit von Hochgeschwindigkeitssignalen zu verbessern. Das Ziel umfasst einen Bump-Pitch von 25 Mikrometern, Pakete mit 120×120 mm, die Integration von mehr als 9 Retikel-Flächen für Rechen- und Speichersilizium sowie die Unterstützung von HBM4e mit 12 Gb/s und UCIe mit 64 Gb/s. Die Vergrößerung von AI-Beschleunigern und Hochleistungsrechner-Chips (HPC) ist der Hintergrund für das wachsende Interesse an EMIB-T. TSMCs CoWoS verbindet Logikchips und HBM über große Silizium-Interposer, während Intels EMIB-Serie eine Struktur verwendet, die kleine Siliziumbrücken anordnet, um den Siliziumverbrauch und die Produktionsbelastung zu reduzieren. Analyst Guo Mingchi wies darauf hin, dass die Verifizierungsrate von 90 % für EMIB-T positiv ist, aber der Prozess, die Ausbeute von 90 % auf über 98 % zu steigern, schwierig sein wird. TSMC erweitert die Produktionskapazitäten von CoWoS und plant, bis 2026 Produkte mit 14-fachem Retikel zu produzieren. Intel hat angekündigt, das Geschäft mit fortschrittlichen Verpackungen für externe Kunden auszubauen, wobei das Vertragsvolumen fast in die Milliarden Dollar pro Jahr geht. Die Wettbewerbsfähigkeit von EMIB-T wird bewertet, nachdem die Produktionsausbeute für Produkte externer Kunden und tatsächliche Anwendungsfälle veröffentlicht wurden.
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